Vào tháng 4/2025, một nhóm nghiên cứu từ Đại học Fudan đã cho ra mắt thiết bị bộ nhớ flash pico giây "Dawn", ngay lập tức gây chấn động giới công nghệ. Nhóm nghiên cứu bắt đầu với vật liệu hai chiều, giải quyết vấn đề tốc độ lưu trữ chậm của các thiết bị truyền thống. Thiết bị này cho phép tốc độ đọc/ghi dữ liệu lên đến 400 pico giây, nhanh hơn hàng chục nghìn lần so với công nghệ bộ nhớ flash hiện có.
Bộ nhớ flash nhanh nhất thế giới
Các hãng truyền thông như Tom's Hardware đã trực tiếp đưa tin rằng đây là bộ nhớ flash nhanh nhất thế giới, vượt xa các sản phẩm hiện có của Mỹ. Nhóm nghiên cứu đã dành nhiều năm làm việc từng bước thông qua các thí nghiệm cơ bản để tạo ra chip nguyên mẫu này. Chìa khóa nằm ở việc sử dụng các vật liệu như graphene, cho phép vận chuyển electron gần như không bị cản trở.
Thông thường, các ổ đĩa flash USB truyền thống hoặc ổ đĩa trạng thái rắn (SSD) mất hàng trăm micro giây để đọc và ghi dữ liệu, trong khi thiết bị mới này có thể xử lý lượng thông tin khổng lồ chỉ trong nháy mắt. Kết quả nghiên cứu được đăng trên tạp chí Nature, và các nhà phê bình đã công nhận đây là một bước đột phá trong lĩnh vực bộ nhớ bán dẫn.
Tờ South China Morning Post gọi đó là "Poxiao", nghĩa là bình minh, báo hiệu một kỷ nguyên mới trong công nghệ bộ nhớ. Trung Quốc đã dẫn đầu trong lĩnh vực này và không còn bị kìm hãm bởi những nút thắt công nghệ nữa.
Trong khi công nghệ bộ nhớ flash của Mỹ vẫn đang dừng ở mức micro giây, thiết bị mới này có thể hoạt động 2,5 tỷ lần mỗi giây - khoảng cách là rất lớn. Nhóm nghiên cứu đã xây dựng một mô hình gần như hai chiều để dự đoán hành vi điện tử, và con chip đã ổn định sau khi được xác minh bằng thực nghiệm. Trang Graphene-info đưa tin rằng nhóm nghiên cứu Trung Quốc đã sử dụng vật liệu dựa trên graphene, đạt được hiệu suất vượt trội so với các sản phẩm tương tự. Sự tiến bộ này giúp tiết kiệm trực tiếp thời gian và năng lượng trong quá trình huấn luyện AI, vì việc truyền dữ liệu không còn là trở ngại nữa.
Vào tháng 10/2025, nhóm nghiên cứu đã tiến thêm một bước nữa, cho ra mắt chip nhớ flash kiến trúc lai hai chiều dựa trên silicon có tên gọi "Changying CY-01". Đây là sản phẩm đầu tiên trên thế giới tích hợp các công nghệ cốt lõi của "Dawn" với quy trình sản xuất dựa trên silicon. Hiệu năng của nó cao hơn 200.000 lần so với bộ nhớ flash truyền thống, và khả năng tích hợp cũng cao hơn.
Fudan News đưa tin đây là bước tiến quan trọng từ nguyên mẫu đến sản phẩm thực tế. Interesting Engineering cũng nhấn mạnh sự tiến bộ vượt bậc của Trung Quốc trong lĩnh vực bán dẫn. Nhóm nghiên cứu dự định tiếp tục tối ưu hóa, hướng tới sản xuất hàng loạt và đưa công nghệ này vào ứng dụng thực tiễn.
Trung Quốc đang có những bước đột phá
Các công nghệ truyền thống bị hạn chế bởi vật liệu, và luôn có điện trở trong quá trình truyền dẫn điện tử, nhưng Trung Quốc đã giải quyết vấn đề này bằng cách sử dụng lớp hai chiều.
Bài báo của SCMP chỉ ra rằng công nghệ này không chỉ nhanh mà còn không bị mất dữ liệu khi tắt nguồn, đảm bảo tính toàn vẹn dữ liệu ngay cả khi mất điện. Trung Quốc, thông qua cách tiếp cận sáng tạo của mình, đã phá vỡ các kỷ lục về lưu trữ toàn cầu.
Cộng đồng công nghệ toàn cầu dần tập trung vào tiềm năng của Trung Quốc trong lĩnh vực phần cứng trí tuệ nhân tạo. Công nghệ này có thể giúp điện toán đám mây hoạt động hiệu quả hơn và giảm lãng phí năng lượng. Truyền thông nước ngoài thừa nhận rằng Trung Quốc thực sự đang dẫn đầu thế giới trong lĩnh vực này.
Tính đến tháng 12/2025, nhóm nghiên cứu vẫn đang đẩy mạnh quá trình công nghiệp hóa. Sản xuất hàng loạt quy mô nhỏ đã được tiến hành, kết hợp với công nghệ CMOS.
TrendForce, một hãng truyền thông nước ngoài, phân tích rằng điều này có thể định hình lại bối cảnh thị trường bán dẫn. Cốt lõi của công nghệ này nằm ở việc biến khả năng lưu trữ từ điểm yếu thành điểm mạnh. Sixth Tone báo cáo rằng công nghệ này giúp hệ thống AI tiết kiệm 30% năng lượng nhờ luồng dữ liệu mượt mà. Trong khi Mỹ đang mắc kẹt ở những nút thắt về tốc độ, Trung Quốc đang có những bước đột phá nhờ sự đổi mới về vật liệu.
