Các nhà nghiên cứu từ Đại học New South Wales (UNSW) Sydney đã công bố một phương pháp mới có thể cải thiện đáng kể hiệu suất của các tấm pin mặt trời silicon.
Bước đột phá này hứa hẹn sẽ tăng hiệu suất của các tấm pin này lên hơn 30%, một bước nhảy vọt đáng kể so với mức hiệu suất 20-25% hiện tại của hầu hết các tấm pin thương mại.
Trọng tâm của bước đột phá này là việc sử dụng một phân tử hữu cơ bền vững và ổn định về mặt quang học được gọi là Dipyrrolonaphthyridinedione (DPND).
Phân tử này không chỉ tương thích với pin quang điện silicon tinh thể mà còn phù hợp với các phương pháp sản xuất có quy mô lớn.
Theo Giáo sư Ned Ekins-Daukes, Trưởng Khoa Kỹ thuật Quang điện và Năng lượng Tái tạo của UNSW, phát triển này mở ra một hướng đi thiết thực để tạo ra các pin mặt trời silicon công suất cao hơn mà không gặp phải những phức tạp thường gặp ở pin song song.
Ngoài ra, công nghệ mới này có thể cho phép các tấm pin này hoạt động ở nhiệt độ thấp hơn, từ đó có khả năng kéo dài tuổi thọ thêm vài năm.
Sự đổi mới này được kỳ vọng sẽ cách mạng hóa ngành năng lượng mặt trời bằng cách giải quyết những thách thức lâu dài về hiệu suất và độ bền.
Công nghệ này có ý nghĩa vô cùng to lớn đối với việc sản xuất tấm pin mặt trời thương mại. Việc tăng công suất đầu ra trên mỗi tấm pin đồng nghĩa với việc cần ít tấm pin hơn để đạt được công suất năng lượng mong muốn, từ đó có thể giảm chi phí tổng thể của hệ thống - bao gồm chi phí lắp đặt phần cứng, dây điện và nhân công lắp đặt.
Hơn nữa, việc giảm diện tích lắp đặt có thể giúp năng lượng mặt trời dễ tiếp cận hơn trong các môi trường hạn chế về không gian.
